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V−34
投稿日 |
: 2017/10/08 14:30 |
投稿者 |
: 技術士補.com |
参照先 |
: |
皆様の解答を、お待ちしております。
ご利用方法
解答はこれでは?というものを、ご投稿下さい。
(できれば、解答番号のみだけではなく、その理由・根拠等もご記入願います。)
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Re: V−34 ( No.4 )
投稿日 |
: 2017/10/09(Mon) 12:26 |
投稿者 |
: けん |
参照先 |
: |
4にしました
![](./icon/pg_art.gif)
Re: V−34 ( No.3 )
投稿日 |
: 2017/10/09(Mon) 10:42 |
投稿者 |
: 秋 |
参照先 |
: |
5にしました
![](./icon/pg_art.gif)
Re: V−34 ( No.2 )
投稿日 |
: 2017/10/09(Mon) 00:50 |
投稿者 |
: radio2kk |
参照先 |
: |
4
MOSFET のゲート金属の直下は絶縁膜、そして半導体の三層構造となっている。この部分はMOSキャパシタと呼ばれ、絶縁膜が誘電体層として働く平行平板コンデンサをみなせる。
http://fhirose.yz.yamagata-u.ac.jp/img/mos4.pdf
したがって、コンデンサの電極間の距離に容量が反比例するのだから、MOS容量も酸化皮膜の厚さに反比例する。
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Re: V−34 ( No.1 )
投稿日 |
: 2017/10/08(Sun) 21:30 |
投稿者 |
: mmm |
参照先 |
: |
5
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